如今的3D閃存在業(yè)內(nèi)玩起了蓋樓比賽，去年鎂光的176層堆棧閃存撼動(dòng)了三星的領(lǐng)先位置，不過，三星打算在今年追回來，其將在今年底明年初推出第八代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)首次超過200層，之前傳聞是228層，現(xiàn)在的說法是224層，相當(dāng)于在128層基礎(chǔ)上再堆棧96層。

三星16GB（2×8GB）DDR4 3200

[經(jīng)銷商]京東商城

[產(chǎn)品售價(jià)]510元

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據(jù)悉，三星的224層閃存性能很不錯(cuò)，數(shù)據(jù)速度提升了30%，同時(shí)生產(chǎn)效率也提高了30%。

此外，三星的224層閃存技術(shù)難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術(shù)實(shí)現(xiàn)128層閃存的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術(shù)，技術(shù)挑戰(zhàn)十分嚴(yán)峻。

關(guān)鍵詞： 三星閃存，224層